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工艺流程:
●自来水-增压泵-介质过滤器-活性碳过滤器-软水器(阻垢剂投加)-保安过滤器-一级反渗透-加药机(PH调节)-中间水箱-第二级反渗透-无菌纯化水箱-纯水泵-紫外线杀菌器-0.2μm精密过滤器-用水点
●自来水-增压泵-介质过滤器-活性碳过滤器-软水器(阻垢剂投加)-保安过滤器-反渗透-无菌纯化水箱-纯水泵-阳床-阴床-混合床-紫外线杀菌器-0.2μm精密过滤器-用水点
●自来水-增压泵-介质过滤器-活性碳过滤器-软水器(阻垢剂投加)-保安过滤器-一级反渗透-加药机(PH调节)--二级反渗透-中间水箱-水泵-EDI设备-无菌纯化水箱-纯水泵-紫外线杀菌器-精制混床-0.2μm精密过滤器-用水点
应用场合:
半导体材料、器件、印刷电路板和集成电路
超纯材料和超纯化学试剂
实验室和中试车间
汽车、家电表面抛光处理
其他高科技精微产品
电子级水质标准:
序号 |
水质项目 |
单位 |
E-Ⅰ |
E-Ⅱ |
E-Ⅲ |
E-Ⅳ |
1 |
电阻率,25℃ |
MΩ·cm |
18① |
15② |
2 |
0.5 |
2 |
二氧化硅(全) |
μg/L |
5 |
10 |
100 |
1000 |
3 |
微粒(粒径>1μm) |
个/mL |
2 |
5 |
100 |
500 |
4 |
微生物 |
个/mL |
1 |
10 |
50 |
100 |
5 |
有机物(TQC) |
μg/L |
50 |
200 |
1000 |
5000 |
6 |
铜Cu |
μg/L |
2 |
10 |
100 |
1000 |
7 |
氯Cl |
μg/L |
2 |
10 |
100 |
500 |
8 |
钾K |
μg/L |
1 |
10 |
200 |
1000 |
9 |
钠Na |
μg/L |
1 |
10 |
200 |
1000 |
10 |
锌Zn |
μg/L |
5 |
20 |
200 |
500 |
11 |
总固体 |
μg/L |
10 |
50 |
500 |
2000 |
①90%时间纯水电阻率应≥18 MΩ·cm,允许短时间不小于17 MΩ·cm。
②90%时间纯水电阻率应≥15 MΩ·cm,允许短时间不小于12 MΩ·cm。
说明: 1. 表中2~11项均指最大允许含量。 |